Porosity 25 ± 2%
透氣與晶圓分離
碳化矽透氣承載盤，用於解鍵合（Debond）製程。
SiC Carrier
碳化矽承載盤｜SiC 承載盤・SiC Susceptor/SiC carrier
Silicon Carbide (SiC) Carrier
碳化矽承載盤（SiC 承載盤）是晶圓解鍵合時托住晶圓的透氣載盤，用在下蠟機與晶圓分離設備。適合三五族與第三代半導體這類薄、脆的晶圓製程。
孔隙率 Porosity
25 ± 2%
尺寸 Dimension
Ø4～8"
密度 Density
3.2g/cm³
Function
為什麼需要承載盤
應用於晶圓分離、下蠟機（De-mounter；De-Bonder），三五族與第三代半導體晶圓代工。
隨著晶片越做越薄，加上 SiC 等硬度高、較脆、容易碎裂的化合物半導體普及，晶圓製程中必須把脆弱的晶圓放在其他臨時的承載晶圓／基板上加工，完成後再將兩者分離。
III-V 族晶圓經背面研磨減薄後，進行微影、金屬化、蝕刻等工藝；之後使用基座加熱到所需溫度，讓鍵合蠟溶解，再由上下真空吸盤建立真空吸力，以步進馬達驅動向前移動，使承載盤與晶圓分離。
Applications
應用範圍
晶圓分離
解鍵合時托住晶圓的透氣載盤。
下蠟機
用於下蠟機承載晶圓。
Specification
產品規格
| 材質Material | 碳化矽（SiC） |
|---|---|
| 尺寸Dimension | Ø4～8"，厚度 0.7～1 mm（公差 ± 0.1 mm） |
| 孔隙率Porosity | 25 ± 2% |
| 密度Density | 3.2 g/cm³ |
| 平面度Flatness | 依需求客製／洽詢 |
孔隙率、密度等材料特性取自 Ø96×1 mm 承載盤規格表；其他尺寸請來信洽詢。
Applications
用在哪裡
應用領域
- 三五族晶圓代工
- 第三代半導體晶圓代工
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