Reusable
再研磨與重複使用
經再研磨後可反覆使用。
Chuck Table
晶圓用 Chuck table｜晶圓吸盤・Wafer Chuck
Wafer Chuck Table
晶圓用 Chuck table 是清洗、切割、研磨晶圓時用真空吸住晶圓的多孔陶瓷晶圓吸盤（wafer chuck）。尺寸有 6、8、12 吋，可再研磨，也提供翻修與換陶。
孔徑 Pore size
50～100µm
平面度（6／8 吋） Flatness
< 3µm
尺寸 Dimension
6／8／12吋
Features
五個特點
陶瓷切割工作盤／研磨工作盤，用於晶圓清洗、切割與研磨，尺寸有 6 吋、8 吋、12 吋。可再研磨、反覆使用，並提供翻修、換陶與新品製作。
Wear-resistant
耐磨耗
具陶瓷堅硬的特性，本身耐損耗。
Static dissipative
靜電與潔淨
表面阻抗 10⁶～10⁹ Ω，屬靜電消散；陶瓷完全燒結，不發塵。
Lightweight
輕量結構
內部結構為均勻氣孔，重量減輕。
價格親民
價格親民、成本低廉；可再研磨反覆使用，並提供翻修與換陶。
Applications
應用範圍
清洗
作為清洗盤，以真空吸住晶圓固定。
切割
作為切割盤，以真空吸住晶圓固定。
研磨
作為研磨盤，以真空吸住晶圓固定。
Custom Patterns
客製化吸附圖案
吸附區可依工件客製，圖案可做圓孔、條紋或不規則形狀。
方形 Chuck table 需採金屬材質製作，歡迎洽詢。
Comparison
與傳統金屬吸盤比較
| 項目 | 多孔陶瓷 Chuck table | 傳統金屬吸盤 |
|---|---|---|
| 功能性 | 多孔陶瓷表面均勻吸附。 | 吸附較小工件時需封堵未覆蓋的孔。 |
| 對工作物影響 | 多孔陶瓷吸附可減少薄工件因吸力產生的形變。 | 吸力可能使薄工件凹陷、變形。 |
| 平面精度 | 6／8 吋 <3 µm；12 吋 <5 µm。 | 精度受環境溫度影響較大。 |
| 靜電問題 | 表面阻抗 10⁶～10⁹ Ω，屬靜電消散材質。 | 靜電累積可能造成工件損傷。 |
Specification
產品規格
| 孔徑Pore size | 50～100 µm |
|---|---|
| 孔隙率Porosity | 40～60% |
| 平面度Flatness | 6 吋／8 吋 < 3 µm；12 吋 < 5 µm |
| 尺寸Dimension | 6 吋／8 吋／12 吋 |
| 底座材質Base material | 以金屬及氧化鋁材質為主，客製化／洽詢 |
| 顏色Color | 黑／土黃／灰 |
| 表面阻抗Surface resistance | 10⁶～10⁹ Ω（靜電消散） |
實際規格以報價圖面為準。
Applications
用在哪裡
應用領域：半導體、LED 封測、印刷。
服務項目
- 翻修
- 換陶
- 新品製作
Care
清潔保養與注意事項
清潔方式：濕式
- 以無塵布沾 IPA（異丙醇）擦拭；使用任何溶劑前，先在陶板角落或側面試擦，乾燥後若變白，請勿使用該溶劑。
- 以加壓水柱沖洗表面超過 1 分鐘，並由氣源孔灌水，使水由內向外滲出超過 1 分鐘。
- 由氣源孔注入正壓空氣 5 分鐘或至無水氣，吹乾氣壓須小於 0.5 kg/cm²。確認陶板乾燥後，靜置 4 小時再使用。
清潔方式：乾式
- 以無塵布沾 IPA 擦拭，先依上述方式測試溶劑。
- 由氣源孔注入正壓空氣，再以無殘膠的黏塵輪或膠帶黏除表面雜質，至少重複此動作三次。
定期保養
首次使用前，以膠膜完全覆蓋陶板表面（可用保鮮膜等無塵膜），開啟負壓吸氣並量測壓力，作為廠務氣源與陶板吸力的基準。每 12 小時清潔一次；每月或每季依相同方法量測效能。吸力降低或無法使用時，請聯絡業務人員回送原廠處理。
注意事項
建議在常溫 23 度、無塵等級 Class 10 的環境使用；此環境下陶瓷較不易因外在因素產生應力變化。
原廠保證承受氣源壓力為 0.03 MPa；出廠測試小於 2 kg/cm²。使用正壓時，請從 0.2 kg/cm² 往上調整。
Photos
實品照片
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